发明名称 |
静电放电保护结构 |
摘要 |
一种静电放电保护结构,其特征在于,包括:具有第一掺杂类型或者第二掺杂类型的衬底;具有第一掺杂类型的体区,设置于该衬底上;具有重掺杂的第二掺杂类型的第一有源区,设置于该体区内;具有轻掺杂的第二掺杂类型的漂移区,设置于该衬底上;栅极结构,部分覆盖于该第一有源区以及该漂移区上;具有重掺杂的第二掺杂类型的第二有源区,设置于该漂移区未被该栅极结构覆盖的位置上;以及具有重掺杂的第二掺杂类型的第三有源区,设置于该漂移区被该栅极结构覆盖的部分与该第二有源区之间。 |
申请公布号 |
CN106531726A |
申请公布日期 |
2017.03.22 |
申请号 |
CN201510571157.4 |
申请日期 |
2015.09.10 |
申请人 |
帝奥微电子有限公司 |
发明人 |
吕宇强 |
分类号 |
H01L23/60(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/60(2006.01)I |
代理机构 |
上海宏威知识产权代理有限公司 31250 |
代理人 |
袁辉 |
主权项 |
一种静电放电保护结构,其特征在于,包括:衬底,具有第一掺杂类型或者第二掺杂类型;体区,设置于该衬底上,具有第一掺杂类型;第一有源区,设置于该体区内,具有重掺杂的第二掺杂类型;漂移区,设置于该衬底上,具有轻掺杂的第二掺杂类型;栅极结构,部分覆盖于该第一有源区以及该漂移区上;第二有源区,设置于该漂移区未被该栅极结构覆盖的位置上,具有重掺杂的第二掺杂类型;以及第三有源区,设置于该漂移区被该栅极结构覆盖的部分与该第二有源区之间,具有重掺杂的第二掺杂类型;其中,该第三有源区的长度为第一长度,且与该第二有源区之间的距离为第二长度。 |
地址 |
201103 上海市闵行区合川路2679号虹桥国际商务广场3号楼603 |