发明名称 静电放电保护结构
摘要 一种静电放电保护结构,其特征在于,包括:具有第一掺杂类型或者第二掺杂类型的衬底;具有第一掺杂类型的体区,设置于该衬底上;具有重掺杂的第二掺杂类型的第一有源区,设置于该体区内;具有轻掺杂的第二掺杂类型的漂移区,设置于该衬底上;栅极结构,部分覆盖于该第一有源区以及该漂移区上;具有重掺杂的第二掺杂类型的第二有源区,设置于该漂移区未被该栅极结构覆盖的位置上;以及具有重掺杂的第二掺杂类型的第三有源区,设置于该漂移区被该栅极结构覆盖的部分与该第二有源区之间。
申请公布号 CN106531726A 申请公布日期 2017.03.22
申请号 CN201510571157.4 申请日期 2015.09.10
申请人 帝奥微电子有限公司 发明人 吕宇强
分类号 H01L23/60(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I 主分类号 H01L23/60(2006.01)I
代理机构 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 代理人 袁辉
主权项 一种静电放电保护结构,其特征在于,包括:衬底,具有第一掺杂类型或者第二掺杂类型;体区,设置于该衬底上,具有第一掺杂类型;第一有源区,设置于该体区内,具有重掺杂的第二掺杂类型;漂移区,设置于该衬底上,具有轻掺杂的第二掺杂类型;栅极结构,部分覆盖于该第一有源区以及该漂移区上;第二有源区,设置于该漂移区未被该栅极结构覆盖的位置上,具有重掺杂的第二掺杂类型;以及第三有源区,设置于该漂移区被该栅极结构覆盖的部分与该第二有源区之间,具有重掺杂的第二掺杂类型;其中,该第三有源区的长度为第一长度,且与该第二有源区之间的距离为第二长度。
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