发明名称 |
具有嵌入式透明扩展电极结构的发光二极管 |
摘要 |
本实用新型公开了一种具有嵌入式透明扩展电极结构的发光二极管,在GaAs衬底的上面依次设置的缓冲层、布拉格反射层、n‑AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、p‑AlGaInP限制层、p‑GaP窗口层、ITO电流扩展层和AlGaInP粗化层,在图案化的AlGaInP粗化层上设有金属电极层,在GaAs衬底的下面设有背电极层,所述金属电极层包括主电极和扩展电极,其中:主电极连接在图案化的AlGaInP粗化层上,扩展电极嵌入在图案化的AlGaInP粗化层中,并且与ITO电流扩展层保持连接。扩展电极自身因为其嵌入式结构的特点,因而稳定性好,从而提高了整个金属电极层的附着性和完整性,确保了发光二极管的工作电压稳定,提高了产品的焊线可靠性和发光效率,极大地提升了产品的质量和良率。 |
申请公布号 |
CN206040685U |
申请公布日期 |
2017.03.22 |
申请号 |
CN201620931785.9 |
申请日期 |
2016.08.24 |
申请人 |
南昌凯迅光电有限公司 |
发明人 |
张银桥;潘彬 |
分类号 |
H01L33/14(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 |
江西省专利事务所 36100 |
代理人 |
张静;张文 |
主权项 |
一种具有嵌入式透明扩展电极结构的发光二极管,包括GaAs衬底,在GaAs衬底的上面依次设置的缓冲层、布拉格反射层、n‑AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、p‑AlGaInP限制层、p‑GaP窗口层、ITO电流扩展层和AlGaInP粗化层,p‑GaP窗口层为图案化的p‑GaP窗口层,AlGaInP粗化层为图案化的AlGaInP粗化层,在图案化的AlGaInP粗化层上设有金属电极层,在GaAs衬底的下面设有背电极层,其特征在于:所述金属电极层包括主电极和扩展电极,其中:主电极连接在图案化的AlGaInP粗化层上,扩展电极嵌入在图案化的AlGaInP粗化层中,并且与ITO电流扩展层保持连接,主电极的中心与图案化的GaP窗口层的图形中心在同一中心线上。 |
地址 |
330038 江西省南昌市红谷滩新区怡园路999号联泰香域中央西区3-1-1102 |