| 发明名称 | 电容器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种电容器，包括：衬底，所述衬底上具有第一电介质，所述第一电介质内包含多个层叠的插指结构，每一所述插指结构均包括多个第一指状结构以及多个第二指状结构，在同一所述插指结构中，所述第一指状结构和第二指状结构相对交错排布；凹槽，形成于所述第一电介质内，并位于同一所述插指结构中的所述第一指状结构和第二指状结构之间；第二电介质，填充于所述凹槽中，所述第二电介质的介电常数大于所述第一电介质的介电常数。同时，本发明还提供一种电容器的制备方法。本发明的电容器以及制备方法，在不改变逻辑器件的标准制程的前提下，可以有效提高电容器的击穿电压以及电容值。 | ||
| 申请公布号 | CN104269394B | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201410487164.1 | 申请日期 | 2014.09.22 |
| 申请人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 发明人 | 鞠韶复;刘威 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种电容器的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上具有第一电介质，所述第一电介质内包含多个层叠的插指结构，每一所述插指结构均包括多个第一指状结构以及多个第二指状结构，在同一所述插指结构中，所述第一指状结构和第二指状结构相对交错排布；对所述第一电介质进行刻蚀以形成多个凹槽，所述凹槽位于同一所述插指结构中的所述第一指状结构和第二指状结构之间；以及在所述凹槽中填充第二电介质，所述第二电介质的介电常数大于所述第一电介质的介电常数。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||