发明名称 金属栅极结构及其形成方法
摘要 本发明提供金属栅极结构及其形成方法。在某些实施例中,基材具有形成在高介电常数介电层中的特征结构,而在基材上形成金属栅极结构的方法可包括下列步骤:在特征结构内,在介电层顶上沉积第一层;在特征结构内,在第一层顶上沉积第二层,第二层包含钴或镍;以及在特征结构内,在第二层顶上沉积第三层以填充特征结构,第三层包含金属,其中第一层及第二层中的至少一层形成湿润层,以形成供后续沉积层所用的成核层,其中第一层、第二层及第三层中的一层形成功函数层,且其中第三层形成栅极电极。
申请公布号 CN102959710B 申请公布日期 2017.03.22
申请号 CN201180029706.5 申请日期 2011.05.27
申请人 应用材料公司 发明人 赛沙德利·甘古利;柳尚澔;李相协;哈阳成;李维迪;金勋;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;雷雨;凯文·莫雷斯;唐先民
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I 主分类号 H01L29/78(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国;王金宝
主权项 一种在基材上形成金属栅极结构的方法,该基材具有形成在高介电常数介电层中的特征结构,该方法包含下列步骤:在该特征结构内,在该高介电常数介电层顶上沉积第一层;在该特征结构内,在该第一层顶上沉积第二层,该第二层包含钴或镍;以及在该特征结构内,在该第二层顶上沉积第三层以填充该特征结构,该第三层包含金属,其中该第一层及该第二层中的至少一层形成湿润层,以在该特征结构内提供共形层并作为供后续沉积层所用的成核层,其中该第一层、该第二层及该第三层中的一层形成功函数层,且其中该第三层形成金属栅极电极。
地址 美国加利福尼亚州