| 发明名称 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，具备：一个以上的沟槽栅，在平面视图中沿第一方向延伸而形成，比沟槽栅浅；一个以上的第一导电型区，在第一方向上相互分离而形成，且比沟槽栅浅，且比第一导电型区深；一个以上的第二导电型区，在第一方向上与第一导电型区交替地形成；以及第二导电型的沟槽分离区，与一个以上的沟槽栅分离而形成，且浓度比第二导电型区高，其中，沟槽分离区在平面视图中位于第一导电型区内，且形成于比第一导电型区更靠背面侧的位置。 | ||
| 申请公布号 | CN106537603A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201680002108.1 | 申请日期 | 2016.02.12 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 白川彻;高桥英纪 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 金玉兰;王颖 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：一个以上的沟槽栅，在平面视图中沿第一方向延伸而形成；一个以上的第一导电型区，在所述第一方向上相互分离而形成，且比所述沟槽栅浅；一个以上的第二导电型区，在所述第一方向上与所述第一导电型区交替地形成，且比所述沟槽栅浅，比所述第一导电型区深；以及第二导电型的沟槽分离区，与一个以上的所述沟槽栅分离而形成，且浓度比所述第二导电型区的浓度高，其中，所述沟槽分离区在平面视图中位于所述第一导电型区内，且形成于比所述第一导电型区更靠背面侧的位置。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||