| 发明名称 | 超结MOS管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种超结MOS管的制造方法，包括以下步骤：S1、制作超结MOS管的晶圆；S2、对所述晶圆进行辐照；S3、对所述晶圆进行退火。本发明的超结MOS管的制造方法，可以降低电流对电荷平衡态的影响，使所述超结MOS管具有更好的稳定性和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN106531634A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201611070751.6 | 申请日期 | 2016.11.29 |
| 申请人 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 张栋 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人 | 薛琦;张冉 |
| 主权项 | 一种超结MOS管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、制作超结MOS管的晶圆；S2、对所述晶圆进行辐照；S3、对所述晶圆进行退火。 | ||
| 地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路385号 | ||