一种在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构的方法

摘要

本发明涉及到半导体工艺和器件领域，具体指一种在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构的方法。在蓝宝石衬底上MOCVD生长N‑极性的GaN模板，在模板上制备进行极性变换的AlN，并对其进行图形制作，最后在该模板和AlN上使用进行GaN厚膜生长，有望满足高功率器件需要厚度达1mm的极性交替的GaN要求。

主权项

一种在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：（1）在蓝宝石衬底上生长N‑极性 GaN，得蓝宝石衬底/N‑极性 GaN结构作为模板；（2）在所述模板上沉积极性反转层AlN，得蓝宝石衬底/N‑极性 GaN/ AlN结构；（3）将极性反转层AlN图案化，得蓝宝石衬底/N‑极性 GaN/图案化AlN结构；所述图案化是指按照一定的图案去除部分极性反转层AlN，保留剩余部分极性反转层AlN，同时使相应的位于去除的部分极性反转层AlN的下层的N‑极性GaN裸露；（4）在所述蓝宝石衬底/N‑极性 GaN/图案化AlN结构上生长GaN，在所述剩余部分极性反转层AlN上生长的GaN为Ga‑极性，在裸露的N‑极性GaN上生长的GaN为N‑极性，得到在蓝宝石衬底上生长的具有不同极性GaN的结构。