| 发明名称 |
Ni、S共掺杂TiO<sub>2</sub>薄膜及其应用和制备方法 |
| 摘要 |
本发明公开了一种Ni、S共掺杂TiO<sub>2</sub>薄膜及其应用和制备方法。Ni、S共掺TiO<sub>2</sub>薄膜的制备过程是：首先在碳钢基底上进行脉冲复合电沉积，制备Ni‑P‑SnO<sub>2</sub>纳米复合中间镀层，再利用溶胶凝胶法在镀层上制备Ni、S共掺杂TiO<sub>2</sub>薄膜。Ni‑P镀层本身具有优异的抗腐蚀效果，加之表面纳米微粒SnO<sub>2</sub>的引入使得镀层微观表面粗糙，在提高结合力的同时，还可发挥SnO<sub>2</sub>粒子的储电子能力，使外层TiO<sub>2</sub>涂层在暗态下继续维持光致阴极保护效果。同时采用过渡金属离子和非金属离子共掺杂的协同效应，实现提高TiO<sub>2</sub>薄膜光电活性和光谱响应范围。 |
| 申请公布号 |
CN106521494A |
申请公布日期 |
2017.03.22 |
| 申请号 |
CN201610983425.8 |
申请日期 |
2016.11.06 |
| 申请人 |
桂林理工大学 |
发明人 |
刘峥;李海莹;李庆伟;黄秋梅 |
| 分类号 |
C23C28/00(2006.01)I;C25D3/56(2006.01)I;C25D5/18(2006.01)I;C25D15/00(2006.01)I;C23C18/12(2006.01)I;C23C18/04(2006.01)I;C23F13/06(2006.01)I |
主分类号 |
C23C28/00(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种Ni、S共掺杂TiO<sub>2</sub>薄膜，其特征在于所述的Ni、S共掺杂TiO<sub>2</sub>薄膜在金属材料光致阴极保护中的应用。 |
| 地址 |
541004 广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号 |
