| 发明名称 | 具有n型扩散层的半导体基板的制造方法及太阳能电池元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有n型扩散层的半导体基板的制造方法，其包括将半导体基板在气体的流量以线速度计为3mm/秒～60mm/秒的条件下进行热处理的工序，所述半导体基板在至少一部分被赋予了含有包含施主元素的玻璃粒子、和分散介质的n型扩散层形成组合物。 | ||
| 申请公布号 | CN106537559A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201580038703.6 | 申请日期 | 2015.07.15 |
| 申请人 | 日立化成株式会社 | 发明人 | 岩室光则;野尻刚;仓田靖;芦泽寅之助;织田明博;清水麻理;佐藤铁也;佐藤英一 |
| 分类号 | H01L21/225(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/225(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 葛凡 |
| 主权项 | 一种具有n型扩散层的半导体基板的制造方法，包括将半导体基板在气体的流量以线速度计为3mm/秒～60mm/秒的条件下进行热处理的工序，所述半导体基板在至少一部分被赋予了含有包含施主元素的玻璃粒子、和分散介质的n型扩散层形成组合物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||