| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型是关于一种半导体装置，其包括：重新分布结构，其包括：第一重新分布层，其包括：第一介电层，其包括第一介电材料；以及第一导电的线路；以及第二重新分布层，其包括：第二介电层，其包括不同于所述第一介电材料的第二介电材料；以及第二导电的线路，其电耦接至所述第一导电的线路；第一半导体晶粒，其附接至所述第一重新分布层；第二半导体晶粒，其附接至所述第一重新分布层；以及导电的互连结构，其附接至所述第二重新分布层。作为非限制性的例子，此实用新型内容的各种特点是提供各种的半导体封装结构，其是包括一薄的细微间距的重新分布结构，其可以减少成本、增进可靠度、及/或增进该半导体装置的可制造性。 | ||
| 申请公布号 | CN206040641U | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201620857856.5 | 申请日期 | 2016.08.09 |
| 申请人 | 艾马克科技公司 | 发明人 | 麦可·凯利;大卫·海纳;罗纳·休莫勒;罗杰·圣艾曼德 |
| 分类号 | H01L25/065(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;安利霞 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，包括：重新分布结构，其包括：第一重新分布层，其包括：第一介电层，其包括第一介电材料；以及第一导电的线路；以及第二重新分布层，其包括：第二介电层，其包括不同于所述第一介电材料的第二介电材料；以及第二导电的线路，其电耦接至所述第一导电的线路；第一半导体晶粒，其附接至所述第一重新分布层；第二半导体晶粒，其附接至所述第一重新分布层；以及导电的互连结构，其附接至所述第二重新分布层。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那州 | ||