半导体集成电路的电容器

摘要

半导体集成电路的电容器。本实用新型提供一种半导体集成电路的电容器，例如，一种半导体集成电路的金属‑绝缘体‑金属(MIM)类型电容器，所述半导体集成电路的MIM类型电容器能够提高电容器的电极层与介电层之间的粘附力。例如，本实用新型提供一种具有新结构的半导体集成电路的电容器，所述电容器通过在金属电极层与介电层之间(具体来说，在下部电极层与介电层之间)另外形成能够减小或补偿热膨胀系数差的缓冲层来防止所述下部电极层与所述介电层之间的界面上的分层现象。

主权项

一种半导体集成电路，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括衬底热膨胀系数；以及电容器，所述电容器在所述衬底上并且包括：下部晶种层，所述下部晶种层在所述衬底的最顶层衬底表面上并且包括下部晶种热膨胀系数；下部电极层，所述下部电极层在所述下部晶种层上并且包括下部电极热膨胀系数；缓冲层，所述缓冲层在所述下部电极层上并且包括缓冲热膨胀系数；介电层，所述介电层在所述缓冲层上并且包括介电热膨胀系数；上部晶种层，所述上部晶种层在所述介电层上并且包括上部晶种热膨胀系数；以及上部电极层，所述上部电极层在所述上部晶种层上并且包括上部电极热膨胀系数；其中：所述下部电极热膨胀系数大于所述缓冲热膨胀系数；所述缓冲热膨胀系数大于所述介电热膨胀系数；所述下部电极热膨胀系数大于所述下部晶种热膨胀系数；所述下部晶种热膨胀系数大于所述衬底热膨胀系数；所述上部电极热膨胀系数大于所述上部晶种热膨胀系数；所述上部晶种热膨胀系数大于所述介电热膨胀系数；并且所述下部电极热膨胀系数与所述缓冲热膨胀系数之间的差大于所述缓冲热膨胀系数与所述介电热膨胀系数之间的差。