发明名称 用于离子植入机中的静电透镜的接地电极
摘要 本实用新型提供一种用于离子植入机中的静电透镜的接地电极。接地电极具有第一和第二表面及接地电极开口以用于接收穿过其中沿着z轴行进的离子束,第一和第二表面中的至少一个在y‑z平面中是弯曲的,接地电极开口具有顶端、底端和中心部分,接地电极开口在顶端和底端处的宽度大于接地电极开口在中心部分处的宽度,接地电极开口在顶部处的宽度等于接地电极开口在底端处的宽度;接地电极开口具有沿着y轴测量的开口高度;接地电极的第一表面具有第一曲率半径,接地电极的第二表面是平坦的,第一曲率半径是从沿着负z轴的点测量的,负z轴是从接地电极的中心在离子束行进的相反方向上测量的。静电透镜通过调节接地电极可以获得多种不同射束形状。
申请公布号 CN206040592U 申请公布日期 2017.03.22
申请号 CN201621046977.8 申请日期 2016.09.09
申请人 瓦里安半导体设备公司 发明人 W·戴维斯·李
分类号 H01J37/30(2006.01)I 主分类号 H01J37/30(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 杨贝贝;臧建明
主权项 一种用于离子植入机中的静电透镜的接地电极,其特征在于,包括:接地电极,具有第一表面和第二表面以及接地电极开口以用于接收穿过其中沿着z轴行进的离子束,所述第一表面和所述第二表面中的至少一个在y‑z平面中是弯曲的,其中所述接地电极开口具有顶端、底端和中心部分,并且在所述顶端和所述底端处的所述接地电极开口的宽度大于在所述中心部分处的所述接地电极开口的宽度,并且在所述顶部处的所述接地电极开口的所述宽度等于在所述底端处的所述接地电极开口的所述宽度;其中所述接地电极开口具有沿着y轴测量的开口高度;其中所述接地电极的所述第一表面具有第一曲率半径,并且所述接地电极的所述第二表面是平坦的,并且其中所述第一曲率半径是从沿着负z轴的点测量的,其中所述负z轴是从所述接地电极的中心在所述离子束行进的相反方向上测量的。
地址 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号