一种黑矩阵制造方法

摘要

本发明公开了一种黑矩阵制造方法，其主要步骤为：清洗ITO电极和玻璃基板，在ITO电极上涂布PR，干燥后形成PR膜层；在PR膜层上放置掩模板，紫外线曝光后，采用稀释的碱性溶液进行显影，形成PR图形；在形成有PR图形的ITO电极上形成黑色涂层，并干燥黑色涂层；从玻璃基板方向照射紫外线，活性化PR图形；清洗并剥离PR图形和PR图形上的黑色涂层，最终得到黑矩阵。本发明的黑矩阵制造方法工序简单，能够制造出高品质要求的黑矩阵图形。

主权项

一种黑矩阵制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、清洗ITO电极(4)和玻璃基板(2)，在ITO电极(4)上涂布PR，干燥后形成PR膜层(6)；步骤二、在PR膜层(6)上放置掩模板(10)，紫外线曝光后，采用稀释的碱性溶液进行显影，形成PR图形(6a)；步骤三、在形成有PR图形(6a)的ITO电极(4)上形成黑色涂层(8)，并干燥黑色涂层(8)；步骤四、从玻璃基板(2)方向照射紫外线，活性化PR图形(6a)；步骤五、清洗并剥离PR图形(6a)和PR图形(6a)上的黑色涂层(8)，最终得到黑矩阵(8a)。