| 发明名称 | 一种电子轰击型雪崩二极管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电子轰击型雪崩二极管，其结构从下到上依次是背面电极，此电极为Ti/Pt/Au电极；衬底，此衬底为n型Si；p型Si外延层；p型Si重掺杂层；正面电极，此电极为Ti/Pt/Au电极；SiO<sub>2</sub>氧化层，此钝化层位于n型Si衬底、p型Si外延层以及p型Si重掺杂层的表面和侧面，起到钝化和降低暗电流的作用；玻璃钝化层，该层位于SiO<sub>2</sub>氧化层上，加厚SiO<sub>2</sub>氧化层并填充器件台面台阶。该种结构的雪崩二极管能够对电子实现收集并探测，同时在雪崩工作电压下，结区收集到的电子可以实现雪崩放大效应，制备工艺简便，暗电流低，可靠性高。 | ||
| 申请公布号 | CN105374896B | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201510843138.2 | 申请日期 | 2015.11.27 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 发明人 | 徐鹏霄;王霄;周剑明;唐家业;王旺平;戴丽英;唐光华;赵文锦;钟伟俊;汪述猛 |
| 分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0203(2014.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人 | 沈根水 |
| 主权项 | 一种电子轰击型雪崩二极管，其特征在于：在n型Si衬底（6）上依次为p型Si外延层（4）、p型Si重掺杂层（1）、正面电极（2），SiO<sub>2</sub>氧化层（5）位于p型Si外延层（4）和p型Si重掺杂层（1）的表面和侧面，玻璃钝化层（3）位于SiO<sub>2</sub>氧化层（5）之上，背面电极（7）位于n型Si衬底（6）的下方。 | ||
| 地址 | 210016 江苏省南京市中山东路524号 | ||