薄膜晶体管的制作方法

摘要

一种薄膜晶体管的制作方法，首先于形成半导体材料、介电材料及导体材料等层体的基板上用第一灰阶光罩形成由光阻构成且各种不同厚度的第一图案层，逐步移除该第一图案层，并自厚度最薄处供所述层体表面裸露，再搭配蚀刻所述层体及对半导体材料掺杂载子，而形成第一型掺杂区，再移除剩余的第一图案层结构，得到一具有由对应该第一中心部的导电层、介电层和半导体层，及该第一型掺杂区的晶体管，本发明利用一个灰阶光罩，即可制作出一个晶体管的基本架构，较现有使用多个光罩的制程而言，节省更多的材料成本与制程时间。

主权项

一种薄膜晶体管的制作方法；其特征在于：该薄膜晶体管的制作方法包含：(a)于一个基板上依序以半导体材料、介电材料、导体材料形成一层第一层体、一层第二层体，及一层第三层体；(b)用一个第一灰阶光罩于该第三层体上形成一由光阻构成的第一图案层，该第一图案层具有一个第一中心部、一个自该第一中心部外围向外延伸且厚度小于该第一中心部厚度的第一翼部，及一个让该第三层体预定表面区域裸露的第一镂空部，且该第一翼部具有一个自该第一中心部外围向外延伸的第一区，及一个自该第一区向外延伸且厚度小于该第一区的第二区；(c)往该基板的方向蚀刻移除该第一层体、第二层体、第三层体对应于该第一镂空部的结构，而定义将形成至少一个晶体管的一个半导体层、一个介电层，及一个导电层；(d)借该第一图案层的遮覆自该第一图案层的第一中心部和第一翼部向该基板方向剥除直到对应该第一翼部的第二区的导电层裸露，再继续蚀刻移除对应该第一翼部的第二区的导电层结构，并于对应该第一翼部的第二区的半导体层进行掺杂而形成一个第一型掺杂区的外掺杂部，再移除该第一翼部的第一区及对应该第一区的导电层，并于对应该第一区的半导体层进行掺杂而成载子浓度低于该外掺杂部的低外杂掺部；及(e)移除剩余的第一图案层结构，得到一个具有由对应该第一中心部的导电层、介电层和半导体层，及该第一型掺杂区的第一型薄膜晶体管。