一种改善铝膜缺陷的方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种改善铝膜缺陷的方法，通过利用物理溅射沉积机台在半导体衬底上形成阻挡层之后，将形成有阻挡层的半导体衬底从物理溅射沉积机台中取出并放置在室温条件下一段时间，使得阻挡层在室温下晶粒和应力趋于稳定，之后再进行于阻挡层上表面制备铝膜的工艺，从而减少了铝膜成膜时的不稳定因素，抑制铝晶粒在生长过程中的无序生长，有效减少了铝薄膜胡须状缺陷的产生，进而提高了硅片的良品率。

主权项

一种改善铝膜缺陷的方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一半导体衬底；步骤S2，将所述半导体衬底放入物理离子溅射机台中进行物理气相沉积工艺，以于所述半导体衬底上表面形成阻挡层；步骤S3，将所述半导体衬底从所述物理离子溅射机台中移出后，对所述半导体衬底进行预定时间的冷却工艺；步骤S4，于所述阻挡层之上形成所述铝膜。