发明名称 一种导电薄膜的制备方法
摘要 本发明公开了一种导电薄膜的制备方法,通过依次增加镀镍磷合金层和石墨烯薄膜层对玻璃基底进行导电性能的改变,然后取出表面的离子,防止离子进行静电吸附,再通过2,2′‑偶氮二异丁脒二氯化氢,石墨烯和分散剂对其进行第三次增强导电能力,超声去除表面的杂质,再进行表面镀镀钯镍,第四次增强导电能力。本发明第一次采用四层处理玻璃基底来增强其导电能力,去除杂质也采用的是温和的方式,不会对表面造成影响。
申请公布号 CN106531357A 申请公布日期 2017.03.22
申请号 CN201611123017.1 申请日期 2016.12.08
申请人 成都天航智虹企业管理咨询有限公司 发明人 王红丽
分类号 H01B13/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I 主分类号 H01B13/00(2006.01)I
代理机构 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人 苏丹
主权项 一种导电薄膜的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:A、在玻璃基底上采用电弧等离子体镀法沉积至少三层镍磷合金薄膜层;B、采用真空蒸镀在镍磷合金薄膜层上沉积石墨烯薄膜层;C、将步骤B的产物放入去离子水中静置至少30分钟;D、将其从去离子水中取出,在180°~260°的环境下进行干燥;E、干燥完毕后将产物放如反应釜中,加入2,2′‑偶氮二异丁脒二氯化氢,石墨烯和分散剂;搅拌4小时后洗涤,真空干燥,冷藏60分钟;F、取出冷藏后的产物,进行超声清洗至少60分钟;G、取出超声清洗后的产物,对其表面镀钯镍。
地址 610000 四川省成都市高新区府城大道西段399号7栋1单元14层5号