| 发明名称 | 气体阻隔性膜和电子设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有高的气体阻隔性和优异的气体阻隔性的面内均匀性的气体阻隔性膜。此外，本发明提供一种在高温高湿环境下的耐久性优异的电子设备。一种气体阻隔性膜，其在基材上依次具有锚固涂层、与上述锚固涂层接触且通过真空成膜法形成的气体阻隔层，上述锚固涂层是对含有聚硅氮烷的层施加能量来进行改性处理而得到的层，且在将上述锚固涂层的厚度设为A(nm)、将上述锚固涂层整体的氮原子相对于硅原子的原子比(N/Si)设为B时，A×B≤60。 | ||
| 申请公布号 | CN106536192A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201580038447.0 | 申请日期 | 2015.06.24 |
| 申请人 | 柯尼卡美能达株式会社 | 发明人 | 森孝博 |
| 分类号 | B32B27/00(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/02(2006.01)I;H05B33/04(2006.01)I | 主分类号 | B32B27/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 苗堃;赵雁 |
| 主权项 | 一种气体阻隔性膜，其在基材上依次具有锚固涂层、与所述锚固涂层接触且通过真空成膜法形成的气体阻隔层，所述锚固涂层是对含有聚硅氮烷的层施加能量来进行改性处理而得到的层，且在将所述锚固涂层的厚度设为A、将所述锚固涂层整体的氮原子相对于硅原子的原子比即N/Si设为B时，A×B≤60，所述厚度以nm为单位。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||