发明名称 光敏二极管暗电流消除电路
摘要 本发明公开一种光敏二极管暗电流消除电路,包括第一电流源、第二电流源、第三电流源和第四电流源,耦接至电源电压和接地电压之间,提供参考电流;还包括第一运算放大器、第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第二运算放大器和一电阻,第一MOS晶体管,耦接至第一节点与第三节点之间,第一运算放大器,其输出端耦接至第一MOS晶体管的栅极,其一输入端耦接至第三节点,其另一输入端耦接外部第一参考电压;第二MOS晶体管,耦接至第二节点与第四节点之间,第二运算放大器,其输出端耦接至第二MOS晶体管的栅极,其一输入端耦接至第四节点,其另一输入端耦接外部第二参考电压;一电阻,耦接至第三节点与第四节点之间。
申请公布号 CN106527573A 申请公布日期 2017.03.22
申请号 CN201611245438.1 申请日期 2016.12.29
申请人 合肥芯福传感器技术有限公司 发明人 杜凯;赵照
分类号 G05F3/26(2006.01)I 主分类号 G05F3/26(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种光敏二极管暗电流消除电路,其特征在于,包括:第一电流源,耦接于电源电压与第一节点之间或者第一节点与接地电压之间,提供第一电流;第二电流源,耦接于电源电压与第二节点之间或者第二节点与接地电压之间,提供第二电流;第三电流源,耦接于第三节点与接地电压之间或者电源电压与第三节点之间,提供第三电流;第四电流源,耦接至第四节点与接地电压之间或者电源电压与第四节点之间,提供第四电流;第一MOS晶体管,耦接于第一节点与第三节点之间,其漏极和源极分别耦接至第一节点和第三节点;第一运算放大器,其输出端耦接至第一MOS晶体管的栅极,其一输入端耦接至第三节点,其另一输入端耦接外部第一参考电压;第二MOS晶体管,耦接于第二节点与第四节点之间,其漏极和源极分别耦接至第二节点和第四节点;第二运算放大器,其输出端耦接至第二MOS晶体管的栅极,其一输入端耦接至第四节点,其另一输入端耦接外部第二参考电压;一电阻,耦接于第三节点与第四节点之间;所述第一MOS晶体管与第二MOS晶体管的类型相同,所述第一电流、第二电流、第三电流和第四电流的电流值相同。
地址 230031 安徽省合肥市高新区创新产业园二期F1栋1405室