发明名称 |
光敏二极管暗电流消除电路 |
摘要 |
本发明公开一种光敏二极管暗电流消除电路,包括第一电流源、第二电流源、第三电流源和第四电流源,耦接至电源电压和接地电压之间,提供参考电流;还包括第一运算放大器、第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第二运算放大器和一电阻,第一MOS晶体管,耦接至第一节点与第三节点之间,第一运算放大器,其输出端耦接至第一MOS晶体管的栅极,其一输入端耦接至第三节点,其另一输入端耦接外部第一参考电压;第二MOS晶体管,耦接至第二节点与第四节点之间,第二运算放大器,其输出端耦接至第二MOS晶体管的栅极,其一输入端耦接至第四节点,其另一输入端耦接外部第二参考电压;一电阻,耦接至第三节点与第四节点之间。 |
申请公布号 |
CN106527573A |
申请公布日期 |
2017.03.22 |
申请号 |
CN201611245438.1 |
申请日期 |
2016.12.29 |
申请人 |
合肥芯福传感器技术有限公司 |
发明人 |
杜凯;赵照 |
分类号 |
G05F3/26(2006.01)I |
主分类号 |
G05F3/26(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种光敏二极管暗电流消除电路,其特征在于,包括:第一电流源,耦接于电源电压与第一节点之间或者第一节点与接地电压之间,提供第一电流;第二电流源,耦接于电源电压与第二节点之间或者第二节点与接地电压之间,提供第二电流;第三电流源,耦接于第三节点与接地电压之间或者电源电压与第三节点之间,提供第三电流;第四电流源,耦接至第四节点与接地电压之间或者电源电压与第四节点之间,提供第四电流;第一MOS晶体管,耦接于第一节点与第三节点之间,其漏极和源极分别耦接至第一节点和第三节点;第一运算放大器,其输出端耦接至第一MOS晶体管的栅极,其一输入端耦接至第三节点,其另一输入端耦接外部第一参考电压;第二MOS晶体管,耦接于第二节点与第四节点之间,其漏极和源极分别耦接至第二节点和第四节点;第二运算放大器,其输出端耦接至第二MOS晶体管的栅极,其一输入端耦接至第四节点,其另一输入端耦接外部第二参考电压;一电阻,耦接于第三节点与第四节点之间;所述第一MOS晶体管与第二MOS晶体管的类型相同,所述第一电流、第二电流、第三电流和第四电流的电流值相同。 |
地址 |
230031 安徽省合肥市高新区创新产业园二期F1栋1405室 |