一种低功耗的与绝对温度成正比的电流源电路

摘要

本发明公开了一种低功耗的与绝对温度成正比（PTAT）的电流源电路。本电路通过简单的偏置电路将亚阈值区MOS管栅源电压求差，并将该差值加到电阻上产生PTAT电流。本电路的所有MOS管均工作在亚阈值区，电流均为纳安级，因此正常工作时的功耗非常低；而且并没有使用二极管或者三极管，与标准CMOS工艺兼容，大大减小了版图面积，降低了生产成本。

主权项

一种低功耗的与绝对温度成正比的电流源电路，其特征在于：电路由MMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、电阻R1、电阻R2组成；系统电源VDD连接到NMOS管M4的漏极和电阻R1的一端；地信号GND连接到NMOS管M2、M3和M5的源极；NMOS管M2的栅极和漏极连接到NMOS管M1的源极；M1的栅极和漏极连接到电阻R1的一端以及M4的栅极；M4的源极和电阻R2的一端相连；R2的另一端连接M3的栅极和漏极以及M5的栅极；M5的漏极即为与绝对温度成正比（PTAT）电流的输出端。