发明名称 发光二极管封装件
摘要 本实用新型涉及发光二极管封装件,本实用新型一个实施例的发光二极管封装件可以包括:引线框架,其包括相互隔开的第1引线部件及第2引线部件;外壳,其支撑所述引线框架,包括使所述第1引线部件及第2引线部件中的任意一个以上的上面一部分露出的第1区域;及发光二极管芯片,其贴装于所述外壳的第1区域;所述外壳还包括形成于上端的上端面和从所述外壳的外侧向所述第1区域侧倾斜地延伸的反射面,所述上端面与所述反射面之间可以形成有错层。根据本实用新型,舒缓地形成发光二极管封装件的外壳内侧壁的倾斜角度,因而能够提高发光二极管封装件的发光效率。
申请公布号 CN206040686U 申请公布日期 2017.03.22
申请号 CN201620634770.6 申请日期 2016.06.24
申请人 首尔半导体股份有限公司 发明人 金赫骏;李亨根
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/56(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 杨贝贝;臧建明
主权项 一种发光二极管封装件,其特征在于,包括:引线框架,其包括相互隔开的第1引线部件及第2引线部件;外壳,其支撑所述引线框架,包括使所述第1引线部件及第2引线部件中的任意一个以上的上面一部分露出的第1区域;及发光二极管芯片,其贴装于所述外壳的第1区域;所述外壳还包括形成于上端的上端面和从所述外壳的外侧向所述第1区域侧倾斜地延伸的反射面,所述上端面与所述反射面之间形成有错层。
地址 韩国京畿道