| 发明名称 | 二极管结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种二极管结构，包括半导体衬底，所述半导体衬底包括隔离鳍区域与鳍阵列区域，在所述隔离鳍区域与所述鳍阵列区域上分别形成有多个第一鳍和第二鳍；第一浅沟槽，隔离所述隔离鳍区域与所述鳍阵列区域；多个相间隔排列的第一接触件和第一虚拟件，位于多个所述第一鳍的上方；多个相间隔排列的第二接触件和第二虚拟件，位于多个所述第二鳍的上方；多个第二浅沟槽，位于所述第一虚拟件底部的半导体衬底内；第一虚拟件与第二虚拟件的设置，能够提高后续化学机械平坦化步骤中介质层的均一性，并且隔离层填充满所述第二浅沟槽，用于减少栅极侧壁的寄生电容，从而提高半导体器件的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN206040649U | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201621092544.6 | 申请日期 | 2016.09.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周飞 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种二极管结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括隔离鳍区域与鳍阵列区域，在所述隔离鳍区域与所述鳍阵列区域上分别设置有多个第一鳍和第二鳍；第一浅沟槽，隔离所述隔离鳍区域与所述鳍阵列区域；多个相间隔排列的第一接触件和第一虚拟件，位于多个所述第一鳍的上方；多个相间隔排列的第二接触件和第二虚拟件，位于多个所述第二鳍的上方；多个第二浅沟槽，位于所述第一虚拟件底部的半导体衬底内，且所述第二浅沟槽位于相邻的所述第一鳍之间。 | ||
| 地址 | 300385 天津市西青区中国天津市西青经济开发区兴华道19号 | ||