静电释放ESD保护结构及含有其的芯片

摘要

本实用新型公开了静电释放ESD保护结构及含有其的芯片，ESD保护结构包括：衬底；衬底上并排的第一至第六阱区；第一阱区中的第一第一类型掺杂区、第一第二类型掺杂区和第一第二类型栅氧区；第二阱区中的第七第二类型掺杂区、第七第一类型掺杂区和第二第一类型栅氧区和第八第一类型掺杂区；第一和第二阱区交接处的第二第二类型掺杂区；第三阱区中的第三第一类型掺杂区；第四阱区中的第四第二类型掺杂区；第五阱区中的第八第二类型掺杂区、第二第二类型栅氧区、第九第二类型掺杂区和第九第一类型掺杂区；第六阱区中的第六第一类型掺杂区、第六第二类型掺杂区和第一第一类型栅氧区；第五和第六阱区交接处的第五第一类型掺杂区。其具有理想的ESD保护效果和低闩锁风险。

主权项

一种静电释放ESD保护结构，其特征在于，包括：衬底；并排形成在所述衬底之上的第一至第六阱区；设置在所述第一阱区之中的第一第一类型掺杂区、第一第二类型掺杂区和第一第二类型栅氧区；设置在所述第二阱区中的第七第二类型掺杂区、第七第一类型掺杂区和第二第一类型栅氧区和第八第一类型掺杂区；设置在所述第一阱区和第二阱区交接处的第二第二类型掺杂区；设置在所述第三阱区之中的第三第一类型掺杂区；设置在所述第四阱区之中的第四第二类型掺杂区；设置在所述第五阱区之中的第八第二类型掺杂区、第二第二类型栅氧区、第九第二类型掺杂区和第九第一类型掺杂区；设置在所述第六阱区之中的第六第一类型掺杂区、第六第二类型掺杂区和第一第一类型栅氧区；设置在所述第五阱区和第六阱区交接处的第五第一类型掺杂区。