| 摘要 |
【課題】簡便な製造プロセスで結晶性のよい単結晶ＳｉＣ層を有するＳｉＣ複合基板が得られるＳｉＣ複合基板の製造方法を提供する。【解決手段】多結晶ＳｉＣ基板１１上に単結晶ＳｉＣ層１２を有するＳｉＣ複合基板１０の製造方法であって、Ｓｉからなる保持基板２１の片面に単結晶ＳｉＣ層１２を設けて単結晶ＳｉＣ層担持体１４を作製した後、該単結晶ＳｉＣ層１２上に物理的又は化学的手段により多結晶ＳｉＣを堆積して保持基板２１上に単結晶ＳｉＣ層１２と多結晶ＳｉＣ基板１１とを積層したＳｉＣ積層体１５を作製し、その後に上記保持基板２１を物理的及び／又は化学的に除去する。【選択図】図１ |
