磁気抵抗効果素子の製造方法

摘要

本発明は、従来よりも高いＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。本発明の一実施形態に係る磁気抵抗効果素子の製造方法は、磁化自由層および磁化固定層の一方が表面に形成された基板上にトンネルバリア層を形成する工程Ｓ１３と、トンネルバリア層を形成する工程の後に、基板を冷却する工程Ｓ１４と、冷却する工程の後に、トンネルバリア層上に磁化自由層および磁化固定層の他方を形成する工程Ｓ１５と、磁化自由層および磁化固定層の他方を形成する工程の後に、基板を昇温する昇温工程Ｓ１６とを備える。