| 摘要 |
Trenchtransistorstruktur mit – in einen Halbleiterkörper (2) von einer Oberfläche (3) aus reichenden und voneinander durch ein Mesagebiet (5) beabstandeten Trenches (4) eines Transistorfeldes (1); – einer im Mesagebiet (5) zur Aufnahme einer Sperrspannung ausgebildeten Driftzone (8) von einem ersten Leitfähigkeitstyp; – einem oberhalb der Driftzone (8) ausgebildeten Bodygebiet (6) von einem zum ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyp mit an die Trenches (4) angrenzenden Sourcegebieten (7) vom ersten Leitfähigkeitstyp; – einem unterhalb der Driftzone (8) ausgebildeten Draingebiet (9) vom ersten Leitfähigkeitstyp; – einer in den Trenches (4) ausgebildeten und vom Mesagebiet (5) durch eine Gateisolationsstruktur (11) beabstandeten Gateelektrode (10) zur Steuerung der Leitfähigkeit von zwischen den Sourcegebieten (7) und der Driftzone (8) und an die Trenches (4) angrenzenden Kanalgebieten (12); – einer in den Trenches (4) angeordneten Feldelektrodenanordnung (13) mit wenigstens einer durch eine Isolationsstruktur (15) vom Mesagebiet (5) und der Gateelektrode (10) beabstandeten und elektrisch leitfähigen Feldelektrode (14a, 14b, 14c), – die Feldelektrodenanordnung (13) mit einer Halbleiterzonenanordnung (17), die aus wenigstens einer an die Oberfläche (3) reichenden Halbleiterzone (18a, 18b, 18c) vom zweiten Leitfähigkeitstyp gebildet ist und außerhalb des Transistorfeldes (1) in einem an die Driftzone (8) angrenzenden Halbleiterbereich (16) vom ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet ist, elektrisch verbunden ist, und zwischen einer Halbleiterzone (18a, 18b, 18c) der Halbleiterzonenanordnung (17) und entweder einer in Richtung zum Transistorfeld (1) benachbarten Halbleiterzone (18a, 18b, 18c) der Halbleiterzonenanordnung (17) oder dem Bodygebiet (6) des Transistorfeldes (1) eine an die Oberfläche (3) des Halbleiterkörpers (2) reichende Hilfszone (19) vom zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet ist; – eine Dotierstoffkonzentration der Hilfszone (19) kleiner ist verglichen mit der Dotierstoffkonzentration der Halbleiterzonen (18a, 18b, 18c). |
