| 摘要 |
【課題】 データの信頼性を向上できる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 半導体記憶装置１０は、電荷蓄積層を有するメモリセルと、メモリセルのゲートに接続されたワード線と、ワード線に書き込み電圧を印加する書き込み動作と、書き込み動作後にメモリセルの閾値電圧を確認するベリファイ動作とを行うコントローラ２０とを含む。第１電圧を用いた第１ベリファイ動作と、第１電圧より高い第２電圧を用いた第２ベリファイ動作とが行われる。第１ベリファイ動作がフェイルであり、かつ第２ベリファイ動作がパスである場合、書き込み動作が継続される。【選択図】 図１２ |
