| 摘要 |
【課題】ＥＵＶマスクを用いたウェハ転写時に発生するコンタミネーションや、ＥＵＶマスクの洗浄による多層反射膜の改質により、多層反射膜のＥＵＶ光反射率が低下する問題が発生している。また、ＥＵＶマスク作製後にマスクパターン間へ異物がはまり込むと、ウェハ転写時に回路パターンがショートするなどの悪影響が発生する。洗浄耐性が高く、マスクパターン間へ異物がはまり込まないＥＵＶマスクの製造方法を提供すること。【解決手段】ＥＵＶ光透過率が高い材料、もしくはそれらの化合物等からなる透明な保護膜１ｄを回路パターン膜の膜厚以上の高さで成膜し、保護膜成膜時に形成される表面凹凸を研磨することにより保護膜付きＥＵＶマスクを作製することができる。【選択図】図１ |
