| 摘要 |
Ein Aspekt der Erfindung stellt eine asymmetrische Halbleitervorrichtung bereit. Die asymmetrische Halbleitervorrichtung kann umfassen: ein Substrat; und einen fin-artigen Feldeffekttransistor (FINFET), der am Substrat angeordnet ist, wobei der FINFET umfasst: eine Menge von Stege, die an einem Gate angeordnet sind; ein erstes epitaktisches Gebiet, das an einem Sourcebereich an der Menge von Stege angeordnet ist, wobei das erste epitaktische Gebiet eine erste Höhe aufweist; und ein zweites epitaktisches Gebiet, das an einem Drainbereich an der Menge von Stege angeordnet ist, wobei das zweite epitaktische Gebiet eine zweite Höhe aufweist, wobei sich die erste Höhe von der zweiten Höhe unterscheidet. |
