发明名称 |
マイクロ波プラズマCVD装置、それを用いたダイヤモンドの合成方法及び合成されたダイヤモンド |
摘要 |
【課題】プラズマのガス温度が低い条件下で、大きい合成速度でダイヤモンドを合成できるマイクロ波プラズマCVDによるダイヤモンドの製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】製造装置は、キャビティ112と、基板ホルダ116と、炭素源及び水素の混合ガスを供給するガス供給装置と、マイクロ波パルスを供給してプラズマを発生させ、基板上にダイヤモンドを成長させるマイクロ波供給部102と、マイクロ波パルスのオン時間Ton及びオフ時間Toffを設定する制御部124とを含み、Ton及びToffは、マイクロ波パルスを供給するときの発光強度が、連続のマイクロ波を供給するときの発光強度よりも大きくなるように設定される。これにより、プラズマのガス温度が低い条件下でも、大きい合成速度で単結晶ダイヤモンドを合成できる。【選択図】図1 |
申请公布号 |
JP2017055118(A) |
申请公布日期 |
2017.03.16 |
申请号 |
JP20160177034 |
申请日期 |
2016.09.09 |
申请人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
发明人 |
山田 英明;茶谷原 昭義;杢野 由明 |
分类号 |
H01L21/205;C01B32/26;C23C16/27;C23C16/455;C23C16/511;C30B29/04;H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/205 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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