| 摘要 |
本発明は、電力機器に使用される半導体装置に関し、ベース板（１６）と、ベース板（１６）上に搭載された絶縁基板（２９）と、絶縁基板上にはんだ層（３１）により接合された電力用スイッチング素子（２１）とを有し、ベース板（１６）、絶縁基板（２９）および電力用スイッチング素子（２１）とでモジュールを構成し、モジュール上に制御基板（ＣＳ）を備えた半導体装置であって、制御基板（ＣＳ）は、電力用スイッチング素子（２１）のコレクタ−エミッタ間電圧を測定し、コレクタ−エミッタ間電圧とコレクタ電流との積で規定される任意の目標電力を電力用スイッチング素子（２１）に供給するようにゲート電圧を変更する可変ゲート電圧回路（９０）を有している。 |
