| 摘要 |
【課題】動作速度を向上することが可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、ブロックＢＬＫｎ＿ｉ、ＢＬＫｎ＿ｏにそれぞれ対応する第１、第２ワード線と、シャント配線ＷＬｓｈｔ０＿ｉ、ＷＬｓｈｔ０＿ｏと、一端及び他端が第１ワード線及びシャント配線ＷＬｓｈｔ＿ｏにそれぞれ接続された第１選択トランジスタと、一端及び他端が第２ワード線及びシャント配線ＷＬｓｈｔ＿ｉにそれぞれ接続された第２選択トランジスタと、を備える。各種動作時において、ブロックＢＬＫｎ＿ｉが選択された場合、第１ワード線及びシャント配線ＷＬｓｈｔ０＿ｏには第１電圧が印加され、第１、第２選択トランジスタはそれぞれ、オン状態、オフ状態にされる。【選択図】図６ |
