幅狭半導体構造のイオン注入技術

摘要

半導体装置を加工処理する方法は、第１イオンを有する第１イオン注入を薄い結晶半導体構造内に実施し、前記第１イオン注入が前記薄い結晶半導体構造の第１領域を非晶質化するステップと、ドーパント種のドーパントイオンを有する第２イオン注入を前記薄い結晶半導体構造の少なくとも第１領域内に実施するステップと、前記第１注入後に前記半導体装置に対して少なくとも１回のアニールを実施するアニールステップであって、前記第１および第２の注入並びに前記少なくとも１回のアニールの後には、前記薄い結晶半導体構造が欠損のない単結晶領域を形成する、該アニールステップと、を有する。