高移動度トランジスタ

摘要

ｎチャネルｆｉｎＦＥＴ（１０６）及びｐチャネルｆｉｎＦＥＴ（１１０）を含む集積回路（１００）が、シリコン基板（１０２）の上の誘電体層（１１２）を有する。ｆｉｎＦＥＴのｆｉｎは、シリコンより高移動度の半導体材料を有する。ｎチャネルｆｉｎＦＥＴのｆｉｎが、基板上の誘電体層を介する第１のトレンチ（１１４）において第１のシリコンゲルマニウムバッファ（１１８）上にある。ｐチャネルｆｉｎＦＥＴのｆｉｎが、基板上の誘電体層を介する第２のトレンチ（１１６）において第２のシリコンゲルマニウムバッファ（１３２）上にある。ｆｉｎは、誘電体層より上に少なくとも１０ナノメートル延在し、誘電体層におけるトレンチにおけるシリコンゲルマニウムバッファ上のエピタキシャル成長によって形成され、その後誘電体層までＣＭＰ平坦化が続く。誘電体層はｆｉｎを露出させるために窪ませられる。ｆｉｎは同時に又は個別に形成され得る。