发明名称 |
多孔性非犠牲支持層を用いた二次元材料とのコンポジット構造を形成するための方法 |
摘要 |
成長基材からグラフェン、グラフェン系材料、およびその他の二次元材料などの原子薄膜を取り外し、次にその薄膜を二次基材へ移送することは困難であり得る。取り外しおよび移送プロセスの過程で、引裂きおよびコンフォーマル性の問題が持ち上がる可能性がある。グラフェンまたはグラフェン系材料などの二次元材料を操作することによってコンポジット構造を形成するための方法は、成長基材に接着した二次元材料を用意すること;二次元材料が成長基材に接着した状態で、二次元材料上に支持層を堆積すること;および成長基材から二次元材料を剥離することを含んでよく、成長基材からの二次元材料の剥離後、二次元材料は、支持層と接触した状態が維持される。【選択図】図7 |
申请公布号 |
JP2017507044(A) |
申请公布日期 |
2017.03.16 |
申请号 |
JP20160549046 |
申请日期 |
2015.01.29 |
申请人 |
ロッキード マーティン コーポレイションLOCKHEED MARTIN CORPORATION |
发明人 |
シンサバウ スティーヴン ロイド;ベドワース ピーター ヴイ;キャシー デイヴィッド フランシス ジュニア;ハイゼ スコット イー;シントン スティーヴン ダブリュー;ストルテンバーグ ランダル マーク;スウェット ジェイコブ ルイス |
分类号 |
B32B9/00;B01D67/00;B01D69/10;B01D69/12;B01D71/02;B32B5/18;B32B18/00;C01B32/15;C01B32/18;C01B32/182 |
主分类号 |
B32B9/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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