半導体ウェハ処理方法および装置

摘要

半導体ウェハ処理方法であって、当該方法は、半導体ウェハの温度を予め定められた処理温度範囲内に制御するステップを備え、制御するステップは、第１の温度変化ユニットを用いて半導体ウェハの第１の温度変化を生じさせることと、その後、第２の温度変化ユニットを用いて第２の温度変化を生じさせることとによって行われ、第１の変化は、第２の変化よりも大きく、当該方法はさらに、その後、半導体ウェハを半導体ウェハ処理装置の処理領域に装着するステップを備える。また、半導体ウェハ処理方法であって、当該方法は、温度変化ユニットを用いて半導体ウェハの温度変化を生じさせることによって、半導体ウェハの温度を予め定められた処理温度範囲内に制御するステップと、半導体ウェハを温度変化ユニットから半導体ウェハ処理装置の処理領域に運搬するステップと、運搬するステップ中に半導体ウェハの温度を制御するステップとを備える。