| 摘要 |
磁気抵抗素子を磁気抵抗膜から構成した場合でも、高調波成分の影響を適正に抑制することのできる磁気センサ装置および磁気式エンコーダ装置を提供することを目的に、磁気センサ（２０）において、第１磁気抵抗素子群（Ｒａ）と第２磁気抵抗素子群（Ｒｂ）とは、磁気媒体９の磁極間隔λ（Ｓ極とＮ極との間隔：磁極間隔）以上の距離を隔てた位置で互いに同一の極に対向している。複数の磁気抵抗素子（Ｒ１〜Ｒ４、Ｒ１１〜Ｒ１４）は３次高調波成分および５次高調波成分を打ち消すように配置され、第１磁気抵抗素子群（Ｒａ）と第２磁気抵抗素子群（Ｒｂ）とは７次高調波成分を打ち消すように配置されている。このため、磁気抵抗素子（２５（＋ａ）、２５（−ａ）、２５（＋ｂ）、２５（−ｂ））の内部抵抗と磁界との関係が対称でなくても、かかる影響の差が第１磁気抵抗素子群（Ｒａ）および第２磁気抵抗素子群（Ｒｂ）に及びにくい。 |
