| 摘要 |
【課題】メモリセルトランジスタの劣化を抑制できる半導体記憶装置及びメモリシステムを提供すること。【解決手段】実施形態に係る半導体記憶装置は、第１及び第２動作モードを有し、メモリセルトランジスタとワード線とを備える。メモリセルトランジスタには、データを消去する場合、消去パルスが印加され、データを書き込む場合、プログラムパルスが印加される。第１動作モードにある際には、第１期間、消去パルスまたはプログラムパルスが印加されることにより、バックゲートとワード線との電位差が第１電位差とされる。第２動作モードにある際には、第１期間より長い第２期間、消去パルスまたはプログラムパルスが印加されることにより、バックゲートとワード線との電位差が、第１電位差より小さい第２電位差とされる。【選択図】図５ |
