| 摘要 |
【課題】白キズの発生を簡便に抑制し得るエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】シリコンウェーハ上に気相成長を行ってエピタキシャルシリコンウェーハを製造する方法であって、気相成長が行われる気相成長装置１は、少なくとも、チャンバー２と、チャンバー２内に連通して接続され、チャンバー２内に塩化水素ガスを供給する塩化水素ガス供給設備３とを備え、塩化水素ガス供給設備３には、入口流路から出口流路への塩化水素ガスの流通を許容又は遮断するダイヤフラムを有するバルブが配置され、ダイヤフラムには、Ｗを含有するＮｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金に不動態化処理が施された材料が使用され、チャンバー２内のメンテナンス時には塩化水素ガス供給設備３からチャンバー２内へと塩化水素ガスが供給される。【選択図】図１ |
