ＧａＮ結晶

摘要

【課題】結晶内のドーパント濃度を精密に制御し、吸光係数が小さく、デバイス用基板として特に好適な周期表第１３族金属窒化物半導体結晶の提供。【解決手段】非極性面及び／又は半極性面を主面とする下地基板１０５上でのエピタキシャル成長によって＜１０−１０＞方向に成長したＧａＮ結晶であって、結晶内のＳｉ濃度がＯ濃度よりも高く、結晶内のＮａ濃度が１×１０１７ｃｍ−３以下で、かつ、ｃ軸と平行方向にＸ線を入射した場合およびｃ軸と垂直方向にＸ線を入射した場合のＸ線回折の（１００）回折ピークのロッキングカーブの半値幅が５０ａｒｃｓｅｃ以下であるＧａＮ結晶。更にｃ軸と垂直方向にＸ線を入射した場合の、Ｘ線回折の（３００）回折ピークのロッキングカーブの半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下であり、Ｘ線回折の（１０２）回折ピークのロッキングカーブの半値幅が５０ａｒｃｓｅｃ以下であることが好ましいＧａＮ結晶。【選択図】図３