半導体装置の製造方法

摘要

半導体ウェハ（２）の部にデバイス領域（１７）を形成し、デバイス領域（１７）の外周にデバイス領域（１７）よりも厚いリング状補強部（１８）を形成する。デバイス領域（１７）とリング状補強部（１８）を形成した後に半導体ウェハ（２）にウェット処理を行う。ウェット処理を行った後に、半導体ウェハ（２）を回転させて乾燥させる。半導体ウェハ（２）の中心位置とリング状補強部（１８）の中心位置が異なる。