摘要 |
Ein Verstärker weist ein Gehäuse, einen Transistor-Chip, der eine Gate-Kontaktstelle und eine Drain-Kontaktstelle aufweist, die länglich ausgebildet sind, wobei der Transistor-Chip in dem Gehäuse vorgesehen ist, und eine Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten auf, die mit der Drain-Kontaktstelle verbunden sind, wobei die Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten einen ersten äußersten Bond-Draht, der mit einem von zwei Endbereichen der Drain-Kontaktstelle verbunden ist, einen zweiten äußersten Bond-Draht, der mit dem anderen der zwei Endbereiche der Drain-Kontaktstelle verbunden ist, und einen dazwischenliegenden Bond-Draht, der zwischen dem ersten äußersten Bond-Draht und dem zweiten äußersten Bond-Draht eingefügt ist, aufweist, wobei jeder aus der Mehrzahl von Drain-Bond-Drähten länger als 1 mm ist und der erste äußerste Bond-Draht und der zweite äußerste Bond-Draht Schlaufenhöhen aufweisen, die größer sind als eine Schlaufenhöhe, die der dazwischenliegende Bond-Draht aufweist. |
申请人 |
Mitsubishi Electric Corporation |
发明人 |
Kosaka, Naoki;Imai, Shohei;Okamura, Atsushi;Miwa, Shinichi;Chomei, Kenichiro;Sasaki, Yoshinobu;Horiguchi, Kenichi |