耐放射性温度センサー用の処理済み光ファイバーを製造するための方法

摘要

温度センサー用の処理済み光ファイバー（５）を製造するための方法であって、純シリカの、又はフッ素及び窒素のうちの少なくとも一種の元素でドープされた光ファイバー（１２５）の提供（１２０）を行うステップａ）と、フェムト秒レーザーを用いて、光ファイバーに少なくとも一つのブラッグ格子の刻み込み（１３０）を行うステップｂ）であって、ブラッグ格子が刻み込み済み光ファイバーの一部の長手方向に延在し、刻み込み済み光ファイバーに沿って伝播する光波を反射するのに適していて、レーザーが４５０ｍＷ以上のパワーを有する、ステップｂ）と、刻み込み済みファイバーの少なくとも一部のアニーリング（１４０）を行い、処理済み光ファイバーを得るステップｃ）とを少なくとも備える方法。こうした処理済み光ファイバーの温度センサーにおける使用。