发明名称 半導体装置
摘要 【課題】階段構造部を微細化できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、基板と、第1構造体と、第2構造体と、第3構造体と、第1段差と、第2段差と、絶縁層と、第1支柱と、第2支柱と、第1コンタクト部と、第2コンタクト部と、第3コンタクト部と、を含む。第1構造体は、第1電極層と第1絶縁体とを含む。第1構造体は、第1絶縁体の表面に第1テラスを有する。第2構造体は、第2電極層と第2絶縁体とを含む。第2構造体は、第2絶縁体の表面に第2テラスを有する。第1支柱は、第1テラス、第2テラス、および第1段差を介して基板に達する。第2支柱は、第2テラス、第3テラス、および第2段差を介して基板に達する。【選択図】図1
申请公布号 JP2017055101(A) 申请公布日期 2017.03.16
申请号 JP20160060673 申请日期 2016.03.24
申请人 株式会社東芝 发明人 曽根原 岳志;鬼頭 傑
分类号 H01L27/115;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/10;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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