受光素子

摘要

第１の主面（１ａ）を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板（１）と、第１の主面（１ａ）上に形成されている受光層（３）とを備え、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板（１）の転位密度は１００００ｃｍ−２以下である。これにより、暗電流が低い受光素子を提供する。