| 摘要 |
半導体装置（１０）の半導体層（３０）の表面には、電極層（４０）が形成されている。電極層（４０）は、密着層（４１）、導電層（４２）、ドーパント層（４３）、および拡散補助層（４４）を有する。拡散補助層（４４）の厚みは、導電層（４２）の厚みよりも薄い。密着層（４１）と導電層（４２）との間には、ドーパント層（４３）、および拡散補助層（４４）が挟まれており、電極層（４０）は、これら密着層（４１）、導電層（４２）、ドーパント層（４３）、および拡散補助層（４４）が熱処理（アニール処理）によって合金化された層である。熱処理温度は、例えば約８００℃以下の温度である。半導体層（３０）は、ＧａＮ系のヘテロ接合半導体であり、密着層（４１）はＴｉであり、導電層（４２）はＡｌであり、ドーパント層（４３）はＳｉであり、拡散補助層（４４）はＡｕである。 |
