发明名称 半導体発光装置およびその製造方法
摘要 【課題】半導体の移載の過程において、その特性を劣化させない半導体発光装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光装置は、基板と、前記基板に接し、その内部に非晶質もしくは多結晶の領域を含む半導体層と、前記半導体層上に設けられ、第1導電形の第1半導体と、第2導電形の第2半導体と、前記第1半導体と前記第2半導体との間に設けられた発光層と、を含む発光体と、前記半導体層と前記発光体との間に設けられ、前記第1半導体および前記第2半導体のいずれか一方に電気的接続された第1電極と、を備える。【選択図】図1
申请公布号 JP2017055019(A) 申请公布日期 2017.03.16
申请号 JP20150179217 申请日期 2015.09.11
申请人 株式会社東芝 发明人 鈴木 健之
分类号 H01L33/16 主分类号 H01L33/16
代理机构 代理人
主权项
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