发明名称 半導体装置
摘要 【課題】共存する二種類のコンタクトホールに起因する電流集中を抑制する。【解決手段】エミッタ領域50は、トレンチと直交するストライプ状であって、基板上面の第1範囲では第1間隔P1で形成され、第2範囲では第1間隔よりも広い第2間隔で形成されている。第1コンタクトホールは、第1幅でトレンチと平行に伸びる開口形状を有し、第1範囲上でボディ領域48とエミッタ領域とを交互に露出する。第2コンタクトホール24は、第1幅よりも広い第2幅の開口形状を有し、第2範囲上でピラー領域を露出する。上面電極12は、第1コンタクトホール内に位置するコンタクトプラグと、第2コンタクトホール24内でピラー領域とショットキー接触する電極層とを有する。平面視したときに、第1範囲と第2範囲との境界に位置するエミッタ領域から、第2範囲へ突出する第1コンタクトホールの突出長さLは、第1間隔の1/2以上である。【選択図】図10
申请公布号 JP2017054928(A) 申请公布日期 2017.03.16
申请号 JP20150177861 申请日期 2015.09.09
申请人 トヨタ自動車株式会社 发明人 薬師川 裕貴;亀山 悟;岩崎 真也
分类号 H01L29/739;H01L21/28;H01L27/04;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/78;H01L29/872 主分类号 H01L29/739
代理机构 代理人
主权项
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