| 摘要 |
【課題】抵抗変化型メモリにおける抵抗状態の切り分けに十分な余裕を確保して、信頼性の高いデータリードを行う。【解決手段】メモリは、それぞれが第１および第２の値の何れかを示す複数のメモリセルを備える。リード領域識別情報記憶部は、第１および第２の値の何れであるかを切り分けるためのリード基準が互いに異なる複数の領域の何れであるかを識別するためのリード領域識別情報を記憶する。リード要求部は、リード領域識別情報に基づいて複数の領域の何れであるかを識別して、その識別された領域のリード基準に従ったリードを行うようメモリに要求する。【選択図】図１６ |
