| 摘要 |
【課題】高耐圧の半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第１の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層上に設けられたソース電極と、第１の窒化物半導体層上に設けられたドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極の間の、第１の窒化物半導体層上に設けられたゲート電極と、一端はゲート電極と電気的に接続され、他端はゲート電極とドレイン電極の間に位置し、第１の窒化物半導体層と離間して設けられたゲートフィールドプレート電極と、ゲートフィールドプレート電極と第１の窒化物半導体層の間に、ゲート電極と離間して設けられた第１の層間絶縁膜と、ゲート電極と第１の層間絶縁膜の間に設けられ、比誘電率は第１の層間絶縁膜より高い第２の層間絶縁膜と、を備える。【選択図】図１ |
